SLC、MLC、TLC、QLC、PLC NAND闪存的发展大家应该都比较熟悉了，它们代表了每个单元能够存储的比特数据，密度越来越高，容量越来越大，当然可靠性、寿命越来越低。

SLC每单元1个比特(1bpc)，需要2档电平；MLC每单元2个比特，需要4档电平，容量增加100％；TLC每单元3个比特，需要8档电平，容量增加33％

以此类推，尚未商用的PLC每单元5个比特，需要32档电平，而容量只有SLC的5倍。

现在，日本创业公司Floadia(富提亚科技)居然宣称他们已经开发出了全新的每单元7个比特(7bpc)的闪存，按照规律需要多达128档电平，容量则相当于SLC的10倍。

Floadia当然没有延续NAND闪存的老路，而是开发了全新的非易失性SONOS单元，在硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅(SONOS)布局的基础上，使用分布式电荷捕获型结构，中间设置了一层氮化硅薄膜，可以牢牢捕获电荷，从而长久维持数据稳定性，并且电压编程擦写循环非常简单。

其中，氧化物-氮化物-氧化物(ONO)层使用了二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)材料，后者制造难度非常低。

官方号称，在极低的电压偏移下，这种闪存可以维持超过10万次编程擦写循环，即便是在150℃高温下，也能持续保存数据长达10年之久，而现在主流闪存能坚持100秒就不错了。

当然，也先别太激动，Floadia这种新闪存的目标市场(至少目前)主要是嵌入式市场，比如正在和东芝合作，利用40nm工艺进行制造，面向各种微控制器。

Floadia成立于2011年4月，创始人是来自日本瑞萨电子的7位工程师，都有近20年的从业经验，公司已经经历了三轮融资，其中C轮获得12亿日元(6700万元人民币)。

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