三星正开发新型LLW DRAM：高带宽、低功耗

1月12日消息，随着人工智能的发展，市场对内存的要求更高，三星正在向市场推出基于特定应用要求的存储组合产品。

据悉，三星最近正在研发新型存储器LLW DRAM，将高带宽、低延迟、低功耗的特性结合在一起。三星将新的内存技术定位在需要运行大型语言模型（LLM）的设备上，未来也可能出现在各种客户端工作负载中。

LLW DRAM作为一种低功耗内存，拥有宽I/O、低延迟、每个模块/堆栈提供了128GB/s的带宽，与一个128位DDR5-8000内存子系统的带宽相同。

同时，LLW DRAM还有另一个重要特性，就是1.2pJ/bit的超低功耗，不过三星没有告知该功耗下的具体数据传输速率。

据了解，LLW DRAM在设计上可能会借鉴GDDR6W，并采用扇出晶圆级封装（FOWLP）技术将多个DRAM集成到一个封装中。

目前三星已公布技术的预期性能细节，根据过往经验，LLW DRAM很可能到了开发阶段的尾声。