美光宣布量产232层QLC NAND闪存：接口速度达2400MT/s 比上一代提高50%
4月17日消息，美光公司近日宣布，已成功实现232层QLC NAND闪存的量产，并已向特定关键SSD客户发货。这款革命性的闪存产品不仅面向消费级客户端，同时还将为企业级存储客户和OEM厂商提供强大支持，其中就包括Micron 2500 NVMe SSD。
美光强调，这款四层单元的NAND闪存新品代表了行业的一大突破，其层数和密度均达到前所未有的水平。这种新型闪存不仅能实现比传统NAND闪存更高的存储密度和设计灵活性，还能有效缩短访问时间，为各类应用提供更为流畅的体验。
美光的232层QLC NAND闪存凭借一系列卓越特性，为移动、客户端、汽车、边缘计算及数据中心等多样化存储需求提供了无与伦比的性能。这款闪存产品不仅拥有全球最高的位密度，相比上一代176层QLC NAND闪存，其密度提升了高达30%。
在结构上，这款新品也展现出了显著优势，其紧凑程度比竞争对手的最新产品高出28%。此外，美光的232层QLC NAND闪存还具备业界领先的I/O接口速度，高达2400 MT/s，较上一代产品提升了50%。
在性能表现方面，这款新型闪存同样令人瞩目。其读取性能相比上一代176层QLC NAND闪存提升了24%，而写入性能更是提升了31%。这一系列的提升使得美光的232层QLC NAND闪存成为了市场上的佼佼者。
值得一提的是，知名存储解决方案和定制企业级SSD设备制造商Pure Storage的总经理Bill Cerreta对美光的这款新品给予了高度评价。他表示，美光的232层QLC NAND闪存是Pure Storage大容量DirectFlash模块的核心组成部分，其卓越性能将助力Pure Storage在2028年之前实现数据中心全面取代机械硬盘的宏伟目标。
