在6月最后一天,三星宣布3nm工艺正式量产,这一次三星终于领先台积电率先量产新一代工艺,而且是弯道超车,后者的3nm今年下半年才会量产。

根据三星官方介绍,在3nm芯片上,其放弃了之前的FinFET架构,采用了新的GAA晶体管架构,大幅改善了芯片的功耗表现。

与5nm相比,新开发的3nm GAE工艺能够降低45%的功耗,减少16%的面积,并同时提升23%的性能。

第二代的3nm GAP工艺可以降低50%的功耗,提升30%的性能,同时面积减少35%,效果更好。

再往后呢?三星也有了计划,3nm GAP工艺之后就会迎来2nm GAP工艺,也是基于纳米片技术的GAA晶体管,但是结构进一步优化,从3个纳米片提升到4个,可以提高驱动电流,同时还会优化堆叠结构以提升性能,降低功耗。

2nm GAP工艺的量产时间也定了,预计在2025年量产,时间点跟台积电量产2nm工艺差不多,而且很可能在技术上领先后者,因为台积电的2nm工艺在晶体管密度上挤牙膏,提升只有10%。

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