在3D闪存方面,三星之前一直是领先的,不过美光去年率先量产了176层堆栈的闪存,要想追赶回来,三星最快今年底能量产224层堆栈的闪存,性能还会提升30%。

三星的3D闪存V-NAND目前发展到了第七代,最高176层,原本计划在去年底量产,但因为NAND闪存价格下滑等因素,三星选择推迟量产,今年Q1季度才会正式量产,导致技术上稍微落后于美光等公司。

不过三星在下一代闪存上有望追回来,最快今年底明年初推出第八代V-NAND闪存,堆栈层数首次超过200层,之前传闻是228层,现在的说法是224层,相当于在128层基础上再堆栈96层。

消息称,三星的224层闪存性能也很不错,数据速度提升了30%,同时生产效率也提高了30%。

此外,三星的224层闪存技术难度也很高,之前三星是唯一一家使用单堆栈技术实现128层闪存的公司,这次的224层则使用了双堆栈技术,技术挑战十分严峻。

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