2022年本来该是半导体工艺转向3nm量产的一年,然而今年台积电低调了许多,三星抢在6月份就宣布率先3nm工艺,抢走了名义上的3nm首发,台积电早前提到的9月份量产早已无效,官方承诺的是年底。

距离2022年还剩下最后几天了,台积电总算兑现了承诺,日前公司发布邀请函,下周将在南科举办量产暨扩厂典礼,届时会正式量产3nm工艺。

这个时间点宣布量产,2022年的3nm产量可以忽略不记,只是让台积电兑现今年量产3nm的承诺,真正有产品放量还要到2023年。

台积电之前公布了至少5种3nm工艺,现在还不好确定即将量产的是N3还是N3E,前者此前有爆料称已经被放弃,因为成本太高,苹果也不用了,导致没有客户,量产没有意义。

根据台积电说法,对比N5工艺,N3功耗可降低约25-30%,性能可提升10-15%,晶体管密度提升约70%。

但是N3工艺实际的表现不一定有这么好,前不久在IEDM 2022大会上,台积电论文种公布了3nm下SRAM的真实密度,表现让人很担心。

3工艺的SRAM单元的面积为0.0199平方微米,相比于N5工艺的0.021平方微米只缩小了区区5%!

更糟糕的是,所谓的第二代3nm工艺N3E,SRAM单元面积为0.021平方微米,跟N5工艺毫无差别。

台积电这样挤牙膏的提升,让Intel有了追赶回来的机会,虽然3nm的SRAM密度还是要比Intel的10nm ESF(现在的Intel 7)高不少,但跟Intel的7nm EUV工艺(现在的Intel 4)相差无几。

台积电在下一代的2nm工艺上晶体管密度提升更少,官方数据也不过10%-20%,解释很容易就被Intel的20A、18A工艺超越了。

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