在上周的SEDEX 2022,三星更新了技术路线图,宣称计划2025年投产2nm芯片,2027年投产1.4nm。

其中对于2nm,三星研究员Park Byung-jae介绍了BSPDN(back side power delivery network)也就是背面供电。

该技术最早于2019年IMEC研讨会上被提出,2021年IEDM的一篇论文中又做了引用。

论文称,背面供电能解决当前正面方案(FSPDN)造成的布线堵塞问题,微观层面,可使芯片的性能提升44%,能效提升30%。

事实上,此前Intel也介绍过在未来的更先进工艺中使用VIA,后者同样是背面供电技术。

据悉,三星已经在6月30日投产3nm GAA(全环绕栅极晶体管)芯片,7月25日正式发货。GAA晶体管是继高K金属栅极平面FET、FinFET(鳍式场效应晶体管)后的全新方案,因为三星用了纳米片而不是纳米线,所以还得名MBCFET(多桥通道场效应晶体管)。

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