尽管NVIDIA CEO黄仁勋已经悲观方言,摩尔定律已死,但对于台积电、三星和Intel三大晶圆厂来说,他们在纳米尺度的芯片微缩步伐尚未停歇。

日前,三星在修订的路线图中首次公布了1.4nm工艺节点,并计划2027投产。

与此同时,三星也决定在2025年投产2nm工艺,大致和台积电同步。

实际上,三星此前已经宣布开始生产3nm GAA晶体管结构的芯片,虽然外界质疑首批产品只是被矿机厂商们当 小白鼠 尝鲜。

至少和Intel相比,三星的进度并不超前,后者的18A工艺(相当于2nm)已经提前到2024年底投产。

其它工艺方面,三星接下来想把3nm(预计第二代)扩展到高性能计算和移动芯片上,同时为高性能计算以及汽车芯片开发专门的4nm制程。

此外,还有服务射频器件的5nm和8nm工艺,服务嵌入式非易失存储器(eNVM)的8nm、14nm以及28nm工艺等。

按照三星的说法,他们希望在2027年前将芯片产能提升3倍。

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