5nm工艺之后,台积电正在全力冲刺3nm,并且准备了多个版本,至少包括N3、N3E、N3B。

N3是常规标准版本,N3E原本应该是性能增强版(Enhanced),2024年量产,现在却变成了精简版,规格上缩水,好消息是进度提前了。

据悉,N3E工艺将使用更少的EUV光刻层,从25层缩减到21层,投产难度更低,良率也能更高,成本自然得以下降,但是晶体管密度会比N3版本低大约8%,相比N5仍然会高60%。

相比之下,N3的晶体管密度比N5要高70%。

N3E工艺将在本月底完成设计,而投产时间将从2023年第三季度提前到2023年第二季度。

N3工艺也安排在2023年,但暂时不清楚具体哪个季度。

至于N3B版本,目前只知道它是在N3的基础上,针对特定用户的改进,但其他一无所知。